TSMC inicia las pruebas operativas en sus fábricas con litografía de 2 nanómetros

02 Sep TSMC inicia las pruebas operativas en sus fábricas con litografía de 2 nanómetros

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) informó que sus instalaciones de producción avanzada alcanzaron la fase de pruebas operativas finales para la fabricación comercial de microchips utilizando el nodo de litografía de 2 nanómetros (N2). Este hito técnico marca la transición definitiva hacia la tecnología de transistores GAAFET (Gate-All-Around), reemplazando los diseños FinFET tradicionales para lograr un control eléctrico superior sobre el canal de conducción.

Los datos presentados por la compañía taiwanesa indican que el nodo N2 ofrece una mejora de rendimiento de entre el 10% y el 15% con el mismo consumo de energía, o bien una reducción del consumo energético de hasta el 30% a la misma frecuencia de reloj, en comparación con la tecnología de 3 nanómetros. Este avance es crucial para el desarrollo de los futuros procesadores centrales de dispositivos móviles de gama entusiasta y servidores de datos de alto rendimiento.

A pesar de los desafíos geopolíticos e industriales, la empresa confirmó que los rendimientos de oblea en las líneas de prueba han superado las expectativas iniciales para la segunda mitad de 2026. La producción comercial masiva se mantiene programada según lo previsto, asegurando el suministro de silicio avanzado para los gigantes tecnológicos que dependen de sus fundiciones para materializar sus próximas arquitecturas de procesadores.